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mos管电压规格是什么，什么是VMOS管栅极
对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿，而不管源极、漏极间的电压是高还是低。 除了槽栅结构的VMOS，零栅压、反相偏置、旁路情况下测得的击穿电压是大致相等的；对于...www.kiaic.com/article/detail/354.html 2018-03-27
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如何选择场效应管，场效主要有什么特点，一看就懂
常用场效应管主要有结型场效应管、耗尽型绝缘栅场效应管、加强型绝缘栅场效应管、双栅场效应管、功率场效应管等。www.kiaic.com/article/detail/355.html 2018-03-27
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槽栅MOS器件优势是什么包括理论及实验动研究
槽栅构造有利于进步电流控制才能，但是结电容大，不利于工作频率的提高。将平而栅极构造与双扩散有机分离起来，就LDMOS(Lateral DoubleDiffuse MOSFET，横向双扩散MOSFET)www.kiaic.com/article/detail/356.html 2018-03-27
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MOS 管封装有哪些-半导体器件封装是有什么区别-什么特点？
KIA封装小型化的趋向小仅仅是为了顺应轻薄产品的需求，更为重要的是进步性价比：封装本钱、物流（重量轻了、体积小了）、热阻、EMI（引线电感减小了）均有降落的趋向。www.kiaic.com/article/detail/358.html 2018-03-27
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判断测量mos管最有效的方法是什么-这里有几种经验
用万用表判别KIA器件VMOS的引脚和好坏判别VMOS的引脚需求以下几步，请留意，这是在你能肯定VMOS完好的状况下停止的判别，假如不晓得它的好坏，请先参考本节内容的第2局部。www.kiaic.com/article/detail/359.html 2018-03-27
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mos管场效应管功率规格型号有哪些？
PD、Ptot的含义略有差别，有些制造商则会忽略了两者的差别。通常所说的“多少瓦”的管子就是指的PD、Ptot额定值。PD的含义是“Under Specified Heat Conditions，Maximum Allowable Val-ue of Constant Drain Power Dissipation”（给定散热条件下，漏极允许的...
www.kiaic.com/article/detail/360.html 2018-03-27
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功率MOSFETt模块,功率模块最全面解决方案
模块(Module)是将多个管芯组装到同一个密封外壳内的电路组件，目的是为了取得更大的电流规格或者电压规格，根本的办法是并联（取得大电流）和串联（取得高耐压），由于串联需求特殊的隔离驱动电路，因而常见的模块是大电流规格的并联类型。 假如具备相当的技...www.kiaic.com/article/detail/361.html 2018-03-27
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VMOS的选择原因有那几个方面， 电流规格 开启电压 解决方法是什么
电压规格(VDSS)：俗称耐压，至少应该为主绕组的3倍，需求留意的是，主绕组的电压指的是图2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。详细而言，图中为10.5V，因而Q1、Q2的电压规格至少为31.5V，思索到10%的动摇和1.5倍的保险系数，则电压规格不应该低于31.5 X 1.1X 1.5...
www.kiaic.com/article/detail/363.html 2018-03-27
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电路中的场效应管原理图是什么，增强型MOSFET特性与BJT是否相同？
我们已经知道JFET具有双向导电特性，即漏极与源极可以互换，这是有条件的，这个条件就是低电压、小电流，目前常用的小功率JFET的实际应用也恰恰符合这个条件。MOSFET其实也具备这个特性，但MOSFET多为功率器件，常用于大电流、高电压条件，加之内置了体二极管，...www.kiaic.com/article/detail/364.html 2018-03-27
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高稳定输出VMOS续流导通控制电路 mos管怎么导通才是正确的
主绕组N2、N3就是为用电电路供电的主绕组，阴影部分除了C1、C2之外，相当于两个整流二极管，构成了全波整流电路，整流的输出经主滤波电容C3滤波后输出，输出电流可以达到10A而不需要为两个VMOS加独立的散热器。当然，前提是电源变压器的功率容量要足够，主滤波...www.kiaic.com/article/detail/362.html 2018-03-27
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功率MOSFET模块的有助于大功率应用的高效化与小型化
封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电压电流规格或者功率规格的产品，个头小的，功率耗散才能更高，这似乎与我们的生活常识有些相悖，但是事实确实如此。VMOS的通态功耗，业界习气于用饱和导通电阻RDS(ON)来权衡，这是不太客观的，由于电流...www.kiaic.com/article/detail/365.html 2018-03-27
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MOSFET模块是什么,它的构造和普通模块有什么区别！
模块中的“管芯”普通称为“单元”，例如两单元模块就包含了两个“管芯”，这些管芯单个封装起来与单管并尤区别。模块中除了管芯一般还会包含续流二极管和一些维护元件，如栅极电阻、热敏电阻等，虽然续流二极管的电压／电流规格并不低于“管芯”，但是并不计人...www.kiaic.com/article/detail/367.html 2018-03-27
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MOS器件的低电压低规格趋势｜材料新应用的方法
低电压规格的VMOS，在功耗方面具有明显的优势，而且电压规格越低，这个优势越明显。电压规格低于100V以后，VMOS的低功耗优势简直是决议性的。其次是IGBT的开展，可以顺应150kHz硬开关的产品曾经上市，而且IGBT在高电压规格和大功率规格方面有着明显的优势。www.kiaic.com/article/detail/368.html 2018-03-27
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结型MOSFET分类|零偏压方法仅适用于耗尽型的MOSFET
耗尽型与增强型、结型与绝缘栅型的，1l路偏置办法迥然不同，但是差异还是有的，因而表5.1列出了场效应管的9种根本电路组态，其间新近上市的增强型JFET的偏置办法能够参考增强型MOSFET。www.kiaic.com/article/detail/369.html 2018-03-27